Многослойный тензорезистор - многослойный тензомост

Классификация по МПК: G01B

Патентная информация
Заявка на изобретение №: 
2009140554
Дата публикации: 
Вторник, Май 10, 2011

Формула изобретения Многослойный тензорезистор - многослойный тензомост, содержащий i слоев одиночных тензорезисторов, выполненных на общей диэлектрической подложке с контактными площадками и представляющих металлофольговую тензорешетку, отличающийся тем, что тензорешетки попарно размещены так, что их оси чувствительности взаимно ортогональны, причем 2 пары тензорезисторов соединены с 4 тензоплощадками так, что они образуют полный тензомост, в котором тензорезисторы одной стойки имеют взаимно ортогональные оси чувствительности, также как и тензорезисторы, подключенные к общей контактной площадке.